暗电流相关论文
昆明物理研究所多年来持续开展了Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究，突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、......
期刊
基于InGaAs/InP雪崩光电二极管，讨论吸收层厚度和少子寿命以及倍增层厚度和少子寿命对暗电流的影响。研究表明，吸收层厚度影响热产生......
碲镉汞材料为窄禁带半导体，随着工作温度的升高，材料本征载流子浓度会增加，探测器截止波长会变短，暗电流增加等，会导致器件性能降低。碲......
研究了传输栅掺杂，即N+TG和P+TG，对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响，随着钳位光电二极管和浮动......
电荷耦合器件（CCD）作为重要的图像传感器已广泛应用于各种光电成像探测系统中,随着各种应用的不断深入,对图像传感器CCD的性能参数提......
X射线探测器在医疗影像、工业探伤和安全检查等领域拥有广泛的应用。近年来,金属卤素钙钛矿材料因其X射线吸收能力强、灵敏度高、......
基于单光子雪崩光电二极管（Single Photon Avalanche Photodiode,SPAD）的近红外单光子探测技术,逐步向着结构更简单、检测更高效的方......
红外探测器的性能受内部结构各层掺杂浓度的影响,而倍增层掺杂浓度会明显改变器件的性能.为了降低暗电流,提高器件性能,采用三元化......
氧化锌作为一种透射率高,性质稳定,环保的材料,在有机光伏器件与有机发光二极管研究中被广泛使用。在这些器件中,氧化锌修饰层的主......
器件自身存在的暗电流,会导致CMOS成像式亮度计的亮度测量结果产生误差.因此,提出一种CMOS成像式亮度计的暗电流校准方法.通过分析......
近十年来,二维材料由于其独特的物性优势,如原子级厚度（电子态易于调控）、层间范德瓦尔斯力（异质结界面无晶格失配）和丰富的电子能带（覆......
科技发展的本质是人类不断探索和认识世界的过程。红外天文探测器是人类探索外太空世界的有力工具,其重要性不言而喻。阻挡杂质带（B......
碲镉汞（HgCdTe,MCT）材料具有带隙可调、高量子效率等诸多优点,是红外光电探测器制备的主流材料。高背景环境下,MCT红外探测器的背景......
激光雷达、深空通信、天文观测、量子信息技术等国家重大战略对红外光子探测器件的灵敏度有越来越高的要求,传统的半导体探测器件......
通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够......
硅基QPD探测器在实际生活中具有广泛的应用,是激光制导、激光准直、激光光斑探测系统的重要组成部分,激光辐照致使其处于失灵状态......
色坐标、亮度是评估发光LED产品光参数质量的两项重要参数。传统的色坐标、亮度测量方法采用色谱仪、亮度计,这类方法操作耗时费力......
越来越多的民用与军事对高灵敏度紫外探测的需求促进了GaN基雪崩光电二极管(APD)的快速发展。雪崩光电二极管工作在高反偏电压状态......
太阳电池在光照工作状态下,两极间有一个正向偏压V加在结上,这时在电池内产生光电流I的同时,将产生一个与之方向相反的"暗电流I(V......
制备了汞溴红敏化的ZnO/SnO复合光电化学池.在最佳混合比例下,ZnO/SnO复合光电池在30W/m522nm单色光的照射下得到0.892mA/cm的短路......
长波红外探测器在空间遥感探测、气象监测、地球资源勘查、军事探测等多个军事和民事方面都有广泛应用.InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器......
本文研究了(NH)S钝化处理对MBE生长的InGaAsSb PIN探测器暗电流密度的影响,报道了一路改进的新的中性(NH)S钝化方法,器件的暗电流......
比较细致全面的研究了酚醛树脂阻性板电阻率对RPC性能的影响.通过对不同电阻率RPC的探测效率、计数率和暗电流的实验比较,给出电阻......
本文主要介绍了采用“离子注入”和低温热处理等工艺研制高性能大面积PIN器件技术以及探测器的主要电学特性.高阻N型硅片上有源区......
p-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环......
红外光电探测器已广泛用于各行各业,包括医学诊断、夜视、水雾渗透、航空、目标识别和天文学等领域。本文针对一款低成本、响应范......
在过去三十年间,基于有机光电二极管架构的有机光电探测器(OPD)得到了长足的发展,用OPD代替无机光电二极管阵列有望获得更低成本、......
对As2和As4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（QWIP）的性能进行......
:本文基于漂移扩散模型,对硅基错PIN 红外探测器的电流特性随应变、Ge 吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了......
在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP......
针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题，开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室......
针对碲镉汞红外焦平面需要在恒定低温条件下工作的要求，设计并实现了基于热电制冷技术的红外焦平面 温控系统。该温控系统具有体积......
近年来，可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接......
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管, 对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,......
点火通路损耗检测精度是激光点火系统的一个重要指标,其在很大程度上决定着点火系统状态判断的准确性.针对激光点火系统损耗检测精......
随着智能化弹药进一步向精准化、小型化发展,硅基PIN光电探测器由于具有高响应度、短响应时间、小体积、低功耗、强抗干扰等优点而......
InGaAs/GaAsSb Ⅱ类超晶格是一种新型的中短波红外材料，通过调整该体系材料的能带结构可以实现2um到4um波段覆盖，目前被广泛用于......
暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影......
暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对......
文章研究了大家普遍关注的单向火花光电光谱仪的分析测量问题,讨论了光电光谱分析仪的工作原理、分析方法,对其测量不确定度进行了......
研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响.通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优......
